RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
104
Wokół strony -206% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3447
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link