RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
21
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
11.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
53
104
En -96% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
53
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
21.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2524
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link