RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
104
En -285% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2735
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link