RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
104
Wokół strony -285% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2735
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link