RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
14.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
104
En -333% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3231
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston 9905403-149.A01LF 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Informar de un error
×
Bug description
Source link