RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
14.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
104
Por volta de -333% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
24
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
14.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3231
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link