RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
104
En -259% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3191
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link