RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
104
En -259% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2821
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link