RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
11.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
104
Intorno -259% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
29
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2821
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link