RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
24.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
19.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
104
En -285% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
24.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
19.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
4174
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link