RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
24.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
19.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
104
Intorno -285% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
27
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
24.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
19.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
4174
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link