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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
22.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
18.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
16
104
En -550% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
16
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
22.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
18.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3906
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
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Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
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A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
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