RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
22.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
18.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
16
104
Intorno -550% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
16
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
22.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
18.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3906
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link