RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
104
En -352% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3169
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link