RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB

総合得点
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

総合得点
star star star star star
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB

InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB 考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 16.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,404.5 left arrow 13.4
    テスト平均値
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB 考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 104
    周辺 -352% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    104 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    3,192.0 left arrow 16.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,404.5 left arrow 13.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    786 left arrow 3169

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
メモリRAM
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
メモリRAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
メモリRAM