RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
104
En -189% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.7
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
9.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
1789
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link