RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
11.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
104
En -300% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2806
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link