Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Средняя оценка

Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB

Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 17.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,404.5 11.7

Среднее значение в тестах

Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB

Причины выбрать
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 104

Около -300% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

104 26
Скорость чтения, Гб/сек

3,192.0 17.4
Скорость записи, Гб/сек

2,404.5 11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

786 2806

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB

Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB

модули RAM

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Kingston KHX2666C15/8G 8GB

Kingston KHX2666C15/8G 8GB

модули RAM

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB

TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Kingston DDR3 1333G 2GB

Kingston DDR3 1333G 2GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB

Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB

Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905598-026.A00G 16GB

Kingston 9905598-026.A00G 16GB

модули RAM