RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 13.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,168.2 left arrow 10.2
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 60
    Около -107% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 5300
    Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    60 left arrow 29
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,595.2 left arrow 13.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,168.2 left arrow 10.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    941 left arrow 2088

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM

Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
модули RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
модули RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
модули RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
модули RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
модули RAM
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
модули RAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
модули RAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
модули RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
модули RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
модули RAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
модули RAM
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
модули RAM