RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
60
Autour de -107% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2088
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link