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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

Puntuación global
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Puntuación global
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Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 15.9
    Valor medio en las pruebas
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    22 left arrow 104
    En -373% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.5 left arrow 2,404.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 6400
    En 3 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    104 left arrow 22
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,192.0 left arrow 15.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    2,404.5 left arrow 9.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    786 left arrow 2611

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM

takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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