RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
71
104
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
71
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
1863
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link