RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
71
104
Autour de -46% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
71
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
1863
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link