Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Note globale
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

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Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    3 left arrow 14.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    71 left arrow 104
    Autour de -46% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.0 left arrow 2,404.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 6400
    Autour de 3.33 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    104 left arrow 71
  • Vitesse de lecture, GB/s
    3,192.0 left arrow 14.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,404.5 left arrow 8.0
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    no data left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    786 left arrow 1863
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons