Comparación de la memoria RAM Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

Puntuación global

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

2 15.2

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

2,072.7 10.2

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

27 75

En -178% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 5300

En 3.62 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

858 2764

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns