Confronto tra le RAM Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

Punteggio complessivo

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

2 15.2

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

2,072.7 10.2

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

27 75

Intorno -178% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 5300

Intorno 3.62 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

858 2764

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns