Comparaison de la RAM Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

Note globale

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

2 15.2

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

2,072.7 10.2

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

27 75

Autour de -178% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 5300

Autour de 3.62 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

858 2764

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns