RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
10
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
65
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
1,574.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,858.9
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,574.4
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
607
2068
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link