RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 10
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    35 left arrow 65
    Около -86% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    7.0 left arrow 1,574.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 5300
    Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    65 left arrow 35
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,858.9 left arrow 10.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,574.4 left arrow 7.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    607 left arrow 2068

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Сравнения RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
модули RAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
модули RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
модули RAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
модули RAM
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
модули RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
модули RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
модули RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
модули RAM