RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
65
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
1,574.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,858.9
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,574.4
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
607
2068
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link