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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
74
En -208% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.2
2,201.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
6.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
1845
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
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