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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
74
左右 -208% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.2
2,201.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
24
读取速度,GB/s
4,178.4
13.2
写入速度,GB/s
2,201.1
6.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
1845
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
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