RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Inmos + 256MB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Inmos + 256MB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
11.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Inmos + 256MB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
74
En -147% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
2,201.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
16800
6400
En 2.63 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
11.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
16800
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
2318
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Inmos + 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Inmos + 256MB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link