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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Inmos + 256MB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Inmos + 256MB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
11.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Inmos + 256MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
74
Intorno -147% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
2,201.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
16800
6400
Intorno 2.63 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
30
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
11.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
16800
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
2318
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Inmos + 256MB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
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