RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
74
En -164% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
2,201.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
2663
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link