RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
74
Intorno -164% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
2,201.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
28
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
2663
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link