RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
74
Autour de -164% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
2,201.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
2663
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
ASint Technology SLZ302G08-MDJHB 2GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link