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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
74
En -95% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
2,201.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
38
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
2451
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
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