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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
73
En -70% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
43
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
2260
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905711-017.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
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Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
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