Comparación de la memoria RAM Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

Puntuación global

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

22 69

En -214% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

7.8 1,441.2

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 5300

En 3.21 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

525 2493

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns