RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
69
Intorno -214% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
22
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
2493
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link