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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
11.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
69
En -116% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
11.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2386
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
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