RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
69
Autour de -116% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2386
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5471-002.A00LF 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link