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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
69
Rund um -116% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
9.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
2386
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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