RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
68
En -127% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
1,702.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,886.6
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,702.6
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
654
3690
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link