RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
68
En -152% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
1,702.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,886.6
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,702.6
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
654
2509
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link