RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB против Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
68
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
1,702.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,886.6
14.4
Скорость записи, Гб/сек
1,702.6
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
654
2509
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link