RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Kingston X75V1H-MIE 32GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
57
68
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
1,702.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
57
Velocidad de lectura, GB/s
3,886.6
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,702.6
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
654
2886
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link