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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T2864DZ3-CE6 1GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Samsung M4 70T2864DZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864DZ3-CE6 1GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
68
69
En 1% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
1,702.6
1,382.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864DZ3-CE6 1GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T2864DZ3-CE6 1GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
68
69
Velocidad de lectura, GB/s
3,886.6
3,036.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,702.6
1,382.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
5300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
654
450
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M4 70T2864DZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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