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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Compara
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
50
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
15.3
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR3
Latencia en PassMark, ns
50
38
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2512
2566
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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INTENSO M418039 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
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Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
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