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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Comparez
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Note globale
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
50
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR3
Latence dans PassMark, ns
50
38
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
12800
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2512
2566
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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