Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Note globale
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Note globale
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Différences

  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    10.9 left arrow 9.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    25600 left arrow 12800
    Autour de 2% bande passante supérieure
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    38 left arrow 50
    Autour de -32% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    15.6 left arrow 15.3
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    50 left arrow 38
  • Vitesse de lecture, GB/s
    15.3 left arrow 15.6
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    10.9 left arrow 9.8
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    25600 left arrow 12800
Other
  • Description
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Vitesse d'horloge
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2512 left arrow 2566
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons